直流磁控濺射: 直(zhí)流磁控濺(jiàn)射是在直流二級濺射的基礎(chǔ)上,在靶材後麵安防磁鋼。可以用來濺射沉積導電(diàn)膜,而且沉積速度快;
但靶材若為絕(jué)緣體的話,將(jiāng)會(huì)迅速造(zào)成靶(bǎ)材(cái)表麵電荷積累,從而導致濺射無(wú)法進行。所以對於純金屬靶材(cái)的(de)濺射,均采用直流磁控濺射,如濺射SUS,Ag,Cr,Cu等。
中頻磁控濺射, 常(cháng)用來進行反應濺射,如金屬(shǔ)氧化物、碳化物等,將(jiāng)少許反應性(xìng)氣體N2,O2,C2H2等同惰性氣體Ar2一(yī)起輸入(rù)到真空腔中,使反應氣體與靶材原子一起於基材上沉(chén)積。
對於一些不易找到的塊(kuài)材料製成靶材的鍍膜或陶瓷靶材在濺鍍後,薄膜成分易偏離原靶材成分,也(yě)可(kě)通(tōng)過反應沉積來(lái)獲(huò)得改善(shàn)。