電子在（zài）電場的作用下加（jiā）速（sù）飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞,電離出大量的氬（yà）離（lí）子和電子,電子飛向基片.氬（yà）離子在電場的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶（bǎ）原子（或分子（zǐ））沉積在基片上成膜.二次電子在加（jiā）速飛向基片的（de）過（guò）程中受到磁場洛侖磁力的影響,被（bèi）束縛在*近靶麵的等（děng）離子體區域內,該區域內等離子體密度很（hěn）高,二次電子在磁場的作用下圍繞（rào）靶麵作圓周運動,該電子的運動路（lù）徑很長,在運（yùn）動過程中不斷的與氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材,經過多次碰撞後電子的（de）能量逐漸降低,擺脫磁力線的束（shù）縛,遠離靶材,最終沉積（jī）在基片上.

        磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑,改變電子的運動方向,提高工作氣（qì）體的電離率和有效利用電（diàn）子的（de）能（néng）量.

       電子（zǐ）的歸宿不僅僅是基片,真空室（shì）內壁及靶源陽極（jí）也是電子歸宿.但一般基片與真空室及陽（yáng）極在（zài）同一（yī）電勢.磁場與電場的交互（hù）作用（E X B shift）使（shǐ）單個電子軌跡呈三維螺旋狀（zhuàng）,而不是僅僅在靶麵圓周運動.至於靶麵圓周型的濺（jiàn）射輪廓,那是靶源磁（cí）場磁（cí）力線呈圓周形狀形狀.磁力線分（fèn）布方（fāng）向不同會對成膜有很大（dà）關（guān）係.

       在E X B shift機理下工作的不光磁控濺射,多弧鍍靶源,離子源,等離（lí）子源等都在次原理（lǐ）下工作（zuò）.所不同的是電場方（fāng）向（xiàng）,電壓電流大小而已.